EE410 - Introdução à Ciência dos Materiais para Engenharia Elétrica
Turma: U -
Período: 2/2026 -
Tipo Período: 2o. semestre -
Disciplina:
Obrigatória 4 créditos.
-
Idioma: Português
Ementa: Estado sólido. Propriedades mecânicas dos sólidos. Propriedades ópticas dos materiais. Propriedades magnéticas. Propriedades térmicas. Propriedades elétricas.
Conteúdo Programático: 1. Estado sólido Tempo sugerido: 10 horas a. Estruturas cristalinas ; ligações iônicas, covalentes, metálicas e moleculares b. Sistemas cristalinos c. Direções e planos cristalográficos d. Policristais e materiais amorfos e. Polimorfismo e alotropia f. Imperfeições g. Modelo de bandas de energia 2. Propriedades mecânicas dos sólidos Tempo sugerido: 2 horas a. Deformação elástica b. Deformação plástica c. Ruptura ; fadiga ; fratura 3. Propriedades ópticas dos materiais Tempo sugerido: 12 horas a. Birrefringência b. Refração c. Difração d. Polarização e. Absorção f. Transmissão g. Reflexão h. Espalhamento i. Cor j. Luminescência k. Fotocondutividade l. Emissão espontânea m. Emissão estimulada - fibras ópticas - lasers - holografia 4. Propriedades magnéticas Tempo sugerido: 4 horas a. Diamagnetismo e paramagnetismo b. Ferromagnetismo, antiferromagnetismo e ferrimagnetismo c. Temperatura e comportamento magnético d. Domínios e histerese 5. Propriedades térmicas Tempo sugerido: 4 horas a. Calor específico b. Condução térmica c. Expansão 6. Propriedades elétricas Tempo sugerido: 28 horas a. Dielétricos / isolantes ; Polarização e constante dielétrica - gases - líquidos - sólidos ; Condução elétrica ; Ruptura elétrica ; Perda dielétrica ; Piezoeletricidade ; Ferroeletricidade ; Cerâmicas, polímeros, eletretos ; Cristais líquidos - Visores de cristal líquido b. Metais / condutores ; estrutura cristalina ; estrutura de bandas ; condução elétrica ; efeito da temperatura na mobilidade c. Supercondutores d. Semicondutores ; estrutura cristalina ; estrutura de banda ; portadores de carga - elétrons e lacunas - massa efetiva - semicondutor intrínseco - concentração de portadores ; semicondutor em campos elétricos e magnéticos - velocidade de deriva - condutividade - mobilidade - efeitos da temperatura e da dopagem - campos intensos - efeito Hall - efeito Gunn ; junções - função de trabalho - emissão termoiônica - tunelamento - junção metal-metal - estrutura MOS - heterojunções ; efeito Seebeck; efeito Peltier ; Termopar - junção metal-semicondutor - junção semicondutor-semicondutor ; em equilíbrio ; polarizada.
Plano de Desenvolvimento:
Conforme IN CCG nº 02/2025 - Cláusula de Honestidade e Lisura Acadêmica
Todas as atividades relacionadas às disciplinas devem ser realizadas em conformidade com as orientações fornecidas pelos docentes e com o devido rigor ético.
Caso o(a) docente responsável, no exercício de sua liberdade de cátedra, forme convicção acerca da ausência de lisura ou de condições adequadas para a realização da atividade avaliativa, poderá atribuir nota zero, seja para a atividade única ou, conforme o caso, para o conjunto de atividades do semestre. A ocorrência deverá ser fundamentada e comunicada à Coordenação de Curso de Graduação, podendo o(a) estudante estar sujeito a processo administrativo.
Bibliografia: SOLYMAR, D.W. Lectures on the Electrical Properties of Materials. Oxford University Press, 1995. CALLISTER Jr, W.D. Materials Science and Engineering, John Wiley Sons, 1997. HUMMEL, R.E. Electronic Properties of Materials, Springer Verlag, 1985. MAYER, J.W. LAU, S.S. Electronic Materials Science: for ICs in Si and GaAs. Macmillan, 1990.
Critério de Avaliação:
Bibliografia complementar: n/a
